Ürün Tanımı
TGAN60N60F2DS, Alan Durdurmalı Siperli Yalıtılmış Kapılı Bipolar Transistör (Field Stop Trench IGBT) teknolojisine sahip bir yarı iletken elemandır.
Öne Çıkan Özellikler
• 600V Alan Durdurmalı Siperli IGBT Teknolojisi
• Geniş bir sıcaklık aralığında düşük anahtarlama kaybı
• Pozitif sıcaklık katsayısı
• Kolay paralel çalışma
• 600 V gerilim değeri
• 20 V gerilim değeri
• 120 A akım değeri (25°C sıcaklık koşulunda)
• 150 °C sıcaklık değeri
Kılıf ve Bağlantı Bilgileri
Dört gümüş metal uçlu ve yuvarlak siyah tabanlı yapı
Toplu alım fiyatı için ihtiyacınız olan adedi bizimle paylaşın.
Stok bilgisi için WhatsApp üzerinden bizimle iletişime geçebilirsiniz.
